[发明专利]半导体工艺、半导体结构及其封装构造

权利要求书

1.一种半导体工艺,其特征在于其至少包含下列步骤：

提供一个载体，该载体具有表面及形成于该表面的金属层，该金属层具有多个衬底区及多个位于衬底区外侧的外侧区；

形成第一光刻胶层在该金属层，该第一光刻胶层具有多个第一开口；

形成多个承载部在所述第一开口；

移除该第一光刻胶层以显露出所述承载部，各该承载部具有承载面,各该承载面具有第一区及第二区；

形成第二光刻胶层在该金属层，且该第二光刻胶层覆盖所述承载部,该第二光刻胶层具有多个第二开口且所述第二开口显露所述承载面的所述第一区；

形成多个接合部在所述第二开口，且所述接合部覆盖所述承载面的所述第一区，以使各该接合部连接各该承载部且形成钮扣状凸块；

移除该第二光刻胶层以显露出所述钮扣状凸块；以及

移除该金属层的所述外侧区，以使该金属层的所述衬底区形成多个凸块下金属层。

2.如权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于各该承载部具有第一厚度，各该接合部具有第二厚度，该第二厚度大于该第一厚度。

3.如权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于各该承载部包含有第一承载层及第二承载层。

4.如权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于所述承载部的材质选自于金、镍或铜。

5.如权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于所述接合部的材质选自于金、镍或铜。

6.如权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于所述凸块下金属层的材质选自于钛/铜、钛钨/铜或钛钨/金。

7.一种半导体结构,其特征在于其至少包含：

一个载体，其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层；以及

多个钮扣状凸块，其形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区。

8.如权利要求7所述的半导体结构,其特征在于其另包含有镀金层，该镀金层包覆各该钮扣状凸块。

9.如权利要求8所述的半导体结构,其特征在于各该凸块下金属层具有环壁，该镀金层包覆所述环壁。

10.如权利要求7所述的半导体结构,其特征在于各该承载部具有第一厚度，各该接合部具有第二厚度，该第二厚度大于该第一厚度。

11.如权利要求7所述的半导体结构,其特征在于各该承载部包含有第一承载层及第二承载层。

12.如权利要求7所述的半导体结构,其特征在于所述承载部的材质选自于金、镍或铜。

13.如权利要求7所述的半导体结构,其特征在于所述接合部的材质选自于金、镍或铜。

14.如权利要求7所述的半导体结构,其特征在于所述凸块下金属层的材质选自于钛/铜、钛钨/铜或钛钨/金。

15.一种半导体封装构造,其特征在于其至少包含：

一个半导体结构，其包含：

一个载体，其具有表面及多个形成于该表面的凸块下金属层；及

多个钮扣状凸块，其形成于所述凸块下金属层上，各该钮扣状凸块具有承载部及连接该承载部的接合部，各该承载部具有承载面，各该承载面具有第一区及第二区，各该接合部覆盖各该承载面的该第一区；以及

一个基板，其具有多个连接元件及多个焊料，各该焊料形成于各该连接元件上，所述连接元件结合于所述钮扣状凸块的所述接合部，所述焊料包覆所述接合部且所述焊料连接所述承载部及所述连接元件。

16.如权利要求15所述的半导体封装构造,其特征在于所述焊料限位于所述承载面的所述第二区。

17.如权利要求15所述的半导体封装构造,其特征在于各该连接元件具有外侧壁，该基板另具有多个金属环，各该金属环包覆各该外侧壁。

18.如权利要求17所述的半导体封装构造,其特征在于所述金属环的材质为金。

19.如权利要求15所述的半导体封装构造,其特征在于各该承载部具有第一厚度，各该接合部具有第二厚度，该第二厚度大于该第一厚度。