[发明专利]倒梯形替代栅极的制作方法有效
| 申请号： | 201210230815.X | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103531460A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒梯形替代栅极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积栅氧化层和多晶硅层，在多晶硅层的表面形成图案化的光阻胶层，图案化光阻胶层所覆盖的区域定义倒梯形替代栅极上表面的宽度；以所述图案化的光阻胶层为掩膜，脉冲式刻蚀所述多晶硅层形成倒梯形替代栅极；所述脉冲式刻蚀源功率的高电平和偏置功率的低电平处于同一脉冲宽度内；或者源功率的低电平和偏置功率的高电平处于同一脉冲宽度内。采用本发明能够形成理想形状的倒梯形替代栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 梯形 替代 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种倒梯形替代栅极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次沉积栅氧化层和多晶硅层，在多晶硅层的表面形成图案化的光阻胶层，图案化光阻胶层所覆盖的区域定义倒梯形替代栅极上表面的宽度；以所述图案化的光阻胶层为掩膜，脉冲式刻蚀所述多晶硅层形成倒梯形替代栅极；所述脉冲式刻蚀源功率的高电平和偏置功率的低电平处于同一脉冲宽度内；或者源功率的低电平和偏置功率的高电平处于同一脉冲宽度内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
