[发明专利]倒梯形替代栅极的制作方法有效
| 申请号： | 201210230815.X | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103531460A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 梯形 替代 栅极 制作方法 | ||
1.一种倒梯形替代栅极的制作方法，该方法包括：
在半导体衬底上依次沉积栅氧化层和多晶硅层，在多晶硅层的表面形成图案化的光阻胶层，图案化光阻胶层所覆盖的区域定义倒梯形替代栅极上表面的宽度；
以所述图案化的光阻胶层为掩膜，脉冲式刻蚀所述多晶硅层形成倒梯形替代栅极；所述脉冲式刻蚀源功率的高电平和偏置功率的低电平处于同一脉冲宽度内；或者源功率的低电平和偏置功率的高电平处于同一脉冲宽度内。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脉冲式刻蚀源功率的脉冲波和偏置功率的脉冲波为矩形波，且矩形波的高电平和低电平之间渐变。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，源功率的范围为300～1500瓦；偏置功率的范围为2000～200瓦。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，当源功率的高电平和偏置功率的低电平处于同一脉冲宽度，形成各向同性刻蚀，源功率的范围为1000～1500瓦，偏置功率的范围为200～300瓦；当源功率的低电平和偏置功率的高电平处于同一脉冲宽度，形成各向异性刻蚀，源功率的范围为300～800瓦，偏置功率的范围为1500～2000瓦。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀的气体包括含氟类气体；所述各向异性刻蚀的气体包括含氟类气体和氧气，其中氧气的流量为5～10标准立方厘米每分钟。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述脉冲波的周期为0.1～5秒，形成倒梯形替代栅极的脉冲式刻蚀时间为2～100秒。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述脉冲波的周期为3秒，形成倒梯形替代栅极的脉冲式刻蚀时间为60秒。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述倒梯形替代栅极的底部内角范围为90～93度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
