[发明专利]一种制作多层石墨烯TEM样品的方法有效
申请号: | 201210229786.5 | 申请日: | 2012-07-02 |
公开(公告)号: | CN102759467A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 董策舟;王宏涛;李倩倩;聂安民;周武;竺鑫桥 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28;G01N1/32 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种制作多层石墨烯TEM样品的方法。本发明首先利用CVD装置在铜箔表面生长出石墨烯薄膜,并将转移介质旋涂在石墨烯表层;接着利用腐蚀溶液将铜箔完全腐蚀,并利用转移介质将石墨烯转移至附有碳膜的支撑网上;然后将结合体放置并漂浮在有机溶剂表面,注意转移介质一侧与有机溶剂紧密贴合;其次当转移介质被有机溶剂完全腐蚀后,结合体静置干燥一段时间,再将另一层附有石墨烯的转移介质均匀贴放在上述结合体表面;最后将结合体再次放置并漂浮在有机溶剂表面,重复以上操作过程,可以得到多层石墨烯的TEM样品。本发明制备出的多层石墨烯TEM样品可以精确控制其石墨烯薄膜层数。 | ||
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【主权项】:
一种制作多层石墨烯TEM样品的方法,其特征在于该方法包括以下步骤: 步骤1:利用CVD装置在铜箔两侧上生长出单层石墨烯薄膜,将转移介质均匀旋涂在铜箔一侧的石墨烯薄膜表层;步骤2:利用腐蚀溶液将铜箔完全腐蚀干净,得到附有单层石墨烯的转移介质;步骤3:将步骤2得到的单层石墨烯通过转移介质转移至支撑网的碳膜表面,保证转移介质与碳膜完全贴合;步骤4:将支撑网、碳膜、石墨烯和转移介质组成的结合体放置并且漂浮在有机溶剂表面,保证转移介质与有机溶剂紧密接触;步骤5:当转移介质被有机溶剂完全腐蚀后,将支撑网、碳膜和石墨烯组成的结合体静置一段时间直至完全干燥,得到石墨烯薄膜;步骤6:将步骤2得到的单层石墨烯通过转移介质转移至石墨烯薄膜表面,并且使两层石墨烯完全贴合,形成结合体;步骤7:将步骤6中得到结合体再次小心地放置并漂浮在有机溶剂表面,保证转移介质与有机溶剂紧密接触;步骤8:当转移介质被有机溶剂完全腐蚀后,将支撑网、碳膜和石墨烯组成的结合体静置一段时间直至完全干燥,可以得到两层石墨烯TEM样品;步骤9:重复步骤6至步骤8操作过程,可以得到多层石墨烯TEM样品。
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