[发明专利]氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210228815.6 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103531473A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 孟令款 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法，首先在形成偏移隔离侧墙的半导体器件上，在轻掺杂漏注入及Halo工艺之后，先后沉积上氧化硅、氮化硅薄膜；然后是主刻蚀步骤：将氮化硅薄膜刻蚀到一个特定厚度；接着是过刻蚀步骤，再刻蚀余下的氮化硅薄膜并停止在下面的氧化硅薄膜上，同时将整个晶片表面余下的氮化硅刻蚀干净，从而形成氧化硅、氮化硅复合双层侧墙；其中主刻蚀步骤完成后直接转换到过刻蚀步骤。主刻蚀步骤可使ON侧墙形貌不至于太过于倾斜，从而控制侧墙底部的有效宽度，进而控制器件的栅极宽度。而过刻蚀步骤采用对氧化硅有高选择性的菜单，能使得晶片上残余的氮化硅刻蚀干净，避免对衬底造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 氮化 双层 复合 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法，首先在形成偏移隔离侧墙的半导体晶片上，在轻掺杂漏注入及Halo工艺之后，先后沉积上氧化硅、氮化硅薄膜；其特征在于，该方法还包括如下步骤：主刻蚀步骤：将所述氮化硅薄膜刻蚀到一个特定厚度；过刻蚀步骤，再刻蚀余下的氮化硅薄膜并停止在下面的氧化硅薄膜上，同时将整个晶片表面余下的氮化硅刻蚀干净，从而形成氧化硅、氮化硅复合双层侧墙；其中所述主刻蚀步骤完成后直接转换到所述过刻蚀步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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