[发明专利]氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法

权利要求书

1.一种氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法，首先在形成偏移隔离侧墙的半导体晶片上，在轻掺杂漏注入及Halo工艺之后，先后沉积上氧化硅、氮化硅薄膜；其特征在于，该方法还包括如下步骤：

主刻蚀步骤：将所述氮化硅薄膜刻蚀到一个特定厚度；

过刻蚀步骤，再刻蚀余下的氮化硅薄膜并停止在下面的氧化硅薄膜上，同时将整个晶片表面余下的氮化硅刻蚀干净，从而形成氧化硅、氮化硅复合双层侧墙；

其中所述主刻蚀步骤完成后直接转换到所述过刻蚀步骤。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤采用等离子体干法工艺刻蚀掉所述氮化硅薄膜厚度的2/3～4/5。

3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述过刻蚀步骤采用高选择比菜单，刻蚀余下的氮化硅薄膜。

4.如权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，其中所述氮化硅对氧化硅的高选择比大于或等于10∶1。

5.如权利要求1或4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤和过刻蚀步骤对氮化硅的刻蚀分别采用碳氟基气体、以及氧气。

6.如权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤的碳氟基气体为单独采用CF₄、或单独采用CHF₃、或者CF₄与CHF₃的组合；所述过刻蚀步骤的碳氟基气体为CF₄与CH₂F₂的组合、或CF₄与CH₃F的组合、或者单独采用CH₃F。

7.如权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤和过刻蚀步骤对氮化硅的刻蚀在通入碳氟基气体、以及氧气的同时还分别通入可形成稳定等离子体的稀释性气体氩气。

8.如权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤和过刻蚀步骤采用LAM Exelan Hpt机台，参数包括压力、高频、低频、以及CF₄、CHF₃、CH₃F、O₂、和Ar的流量，分别是： 

9.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述的氧化硅、氮化硅薄膜采用PECVD、或LPCVD方式制备。