[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210228598.0 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103531540A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有双功函数金属栅的CMOS晶体管的制造方法，其中，在不同MOS区域，形成不同厚度的栅极材料，然后，将金属铝作为调节功函数的金属引入，通过退火工艺，利用Al停留在栅极层可以获得较低功函数、进入栅绝缘层可以获得较高功函数的特点，实现了CMOS晶体管的双功函数金属栅，简化了双功函数晶体管的集成工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，用于制造具有双功函数金属栅的CMOS晶体管，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入，形成NMOSFET区域和PMOSFET区域；全面性地形成第一栅极绝缘层；全面性地形成第一栅极；刻蚀位于PMOSFET区域的第一栅极的至少部分厚度；全面性地形成铝金属层；对所述铝金属层进行退火；沉积金属填充层，完成CMOS晶体管的金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
