[发明专利]超薄SOI半导体器件制造方法及超薄SOI半导体器件无效
| 申请号： | 201210219009.2 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103515239A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄SOI半导体器件制造方法以及采用该方法制成的超薄SOI半导体器件，该方法包括：提供超薄SOI衬底；在所述超薄SOI衬底上形成栅介质层、栅极和偏移侧墙；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行第一次外延生长；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行轻掺杂以形成轻掺杂漏LDD区；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行第二次外延生长；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行重掺杂以形成抬升源/漏极区。经过该方法制成的超薄SOI半导体器件，降低了主侧墙底部的抬升源/漏极区部分的电阻，同时降低了抬升源/漏极区和栅极之间的电容；本发明实现了同时具有较低电阻和较低电容的新型超薄SOI半导体器件，进而从整体上提升了超薄SOI半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 soi 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄SOI半导体器件制造方法，包括：提供超薄SOI衬底，包括衬底绝缘层和位于衬底绝缘层之上的顶层衬底；在所述超薄SOI衬底上形成栅介质层、栅极和偏移侧墙；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行第一次外延生长，以使得所述偏移侧墙外侧的顶层衬底表面高于栅介质层底部的顶层衬底；对所述偏移侧墙外侧的顶层衬底进行轻掺杂以形成轻掺杂漏LDD区；在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙的底部位于偏移侧墙外侧的顶层衬底之上使得所述主侧墙的底部高于栅介质层底部的顶层衬底；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行第二次外延生长，以使得主侧墙的底部低于所述主侧墙外侧的顶层衬底表面；对所述主侧墙外侧的顶层衬底进行重掺杂以形成抬升源/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
