[发明专利]用于蚀刻的方法有效
| 申请号： | 201210216949.6 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102768933B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 阿兰·切斯里;斯坦利·德特玛 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了用于蚀刻的方法。在一个实施例中，提供了一种用于在等离子蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，包括以下步骤使背侧处理气体在衬底与衬底支撑组件之间流动；并循环地蚀刻衬底上的层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种用于蚀刻的方法，包括以下步骤：在等离子处理腔室中，使用包括多个蚀刻步骤的蚀刻配置来在硅层中循环地蚀刻特征结构，直到达到终点，每个循环蚀刻步骤包括蚀刻子步骤和沉积子步骤，其中所述特征结构的深宽比随着直到达到所述终点之前的时间期间所执行的所述循环蚀刻步骤的数量而增大；以及在一个循环蚀刻步骤相对于另一个循环蚀刻步骤、响应于所述特征结构的当前的深宽比来调整所述蚀刻配置的配置变量，以在所述特征结构变得更深时管理侧壁聚合物的厚度，以避免所述特征结构闭合并避免影响后续的蚀刻。
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