[发明专利]用于蚀刻的方法

权利要求书

1.一种用于蚀刻的方法，包括以下步骤：

在等离子处理腔室中，使用包括多个蚀刻步骤的蚀刻配置来在硅层中循环地蚀刻特征结构，直到达到终点，每个循环蚀刻步骤包括蚀刻子步骤和沉积子步骤，其中所述特征结构的深宽比随着直到达到所述终点之前的时间期间所执行的所述循环蚀刻步骤的数量而增大；以及

在一个循环蚀刻步骤相对于另一个循环蚀刻步骤、响应于所述特征结构的当前的深宽比来调整所述蚀刻配置的配置变量，以在所述特征结构变得更深时管理侧壁聚合物的厚度，以避免所述特征结构闭合并避免影响后续的蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻配置的所述配置变量包括偏压功率、偏压占空周期、偏压功率脉冲、衬底支撑组件温度、源功率、腔室压力、处理气体流速及处理气体组成中的至少一项。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，循环地蚀刻所述硅层还包括以下步骤：

在所述蚀刻子步骤期间，由含氟气体形成等离子；以及

在所述沉积子步骤期间，使用含碳气体。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述蚀刻子步骤的持续时间小于7秒。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述蚀刻子步骤还包括以下步骤：

将含氧气体与所述含氟气体导入，以优先地从正被蚀刻的特征结构的底部、水平表面蚀刻聚合物，从而暴露硅材料以供所述蚀刻子步骤的第二部分的后续蚀刻。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述含氟气体还包括下列至少一者：SF₆、NF₃、CF₄、CHF₃、ClF₃、BrF₃、IF₃、或其衍生物。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述含碳气体是C₄F₈。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，调整所述蚀刻配置的所述配置变量包括以下步骤：

使所述蚀刻配置的所述变量上升和下降的至少一者。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

使背侧处理气体在衬底与设置在等离子处理腔室中的衬底支撑组件之间流动，在所述衬底上设置有硅层，其中所述背侧处理气体是在所述等离子处理腔室中通过与材料反应而影响循环蚀刻步骤中的蚀刻或聚合速率的气体。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述背侧处理气体是含氧气体。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括以下步骤：

使He与所述背侧处理气体一起在所述衬底与所述衬底支撑组件之间流动。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述含氧气体是O₂。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述衬底与所述衬底支撑组件之间流动的He与O₂气体以体积或质量计的比例为50：50至70：30。

14.一种用于蚀刻的方法，包括以下步骤：

在等离子处理腔室中，使用包括多个蚀刻步骤的蚀刻配置来在硅层中循环地蚀刻特征结构，直到达到终点，每个循环蚀刻步骤包括蚀刻子步骤和沉积子步骤，所述蚀刻子步骤使用含氟气体，所述沉积子步骤使用含碳气体，其中所述特征结构的深宽比随着直到达到所述终点之前随时间执行的所述循环蚀刻步骤的数量而增大，并且所述蚀刻子步骤的持续时间小于7秒；以及

在一个循环蚀刻步骤相对于另一个循环蚀刻步骤、响应于所述特征结构的当前的深宽比来调整所述蚀刻配置的配置变量，以在所述特征结构变得更深时管理侧壁聚合物的厚度，以避免所述特征结构闭合而影响后续的蚀刻，其中所述蚀刻配置的所述配置变量包括偏压功率、偏压占空周期、偏压功率脉冲、衬底支撑组件温度、源功率、腔室压力、处理气体流速及处理气体组成中的至少一项。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，调整所述蚀刻配置的所述配置变量包括以下步骤：

使所述蚀刻配置的所述变量上升和下降的至少一者。