[发明专利]硅提纯法无效

专利信息
申请号: 201210212863.6 申请日: 2012-06-26
公开(公告)号: CN102774839A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 金子恭二郎;罗建平;宋明生 申请(专利权)人: 金子恭二郎;罗建平;宋明生
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037;C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 曹翠珍
地址: 日本大阪府茨*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明是关于一种硅提纯方法,利用共晶反应从铝-硅熔融液中以低于硅熔点的温度使硅晶体结晶析出的硅提纯方法。是在将铝、硅及其他元素组成的固体原料投入冷却坩埚;所述冷却坩埚为在轴方向的至少一部分在圆周方向上被分割成多瓣的无底导电性冷却坩埚(7),且在冷却坩埚的外周包围感应线圈(8),在冷却坩埚下方配置支撑台(14);同时,在冷却坩埚内以低于硅熔点且高于共晶温度的温度通过感应线圈引起的电磁感应熔融固体原料,在铝-硅熔融液下方的凝固界面上冷却结晶出硅结晶的同时,通过支撑平台将结晶出的硅晶体下拉,实现连续定向凝固,从而制造出硅铸锭(3)。本发明能够简洁、准确地实施定向凝固且装置不复杂、具有生产效率高,低能耗、低成本特点,能够以金属级硅作为原料制造出太阳能级多晶硅。
搜索关键词: 提纯
【主权项】:
一种硅提纯法,其特征在于,利用共晶反应从铝-硅熔融液中以低于硅熔点的温度使硅晶体结晶析出的硅提纯方法,具体步骤包括:在将铝、硅及其他元素组成的固体原料投入冷却坩埚;所述冷却坩埚为在轴方向的至少一部分在圆周方向上被分割成多瓣的导电性冷却坩埚,且在冷却坩埚的外周包围感应线圈,在冷却坩埚下方配置支撑台;同时,在冷却坩埚内以低于硅熔点且高于共晶温度的温度通过感应线圈引起的电磁感应熔融固体原料,在铝-硅熔融液下方的凝固界面上冷却结晶出硅结晶的同时,通过支撑平台将结晶出的硅晶体下拉,实现连续定向凝固,从而制造出硅铸锭。
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