[发明专利]具有鳍片基础熔丝的集成电路及相关制造方法有效
| 申请号： | 201210209628.3 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102856250A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | R·曼;K·梅特拉;A·米塔尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及具有鳍片基础熔丝的集成电路及相关制造方法，提供制造具有鳍片基础熔丝的集成电路的方法以及所得到的具有鳍片基础熔丝的集成电路。在所述方法中，从半导体材料层产生鳍片，所述鳍片具有第一端与第二端。所述方法提供在所述鳍片上从第一端至第二端形成传导路径。所述传导路径电连接至编程装置，所述编程装置可选择性导引编程电流通过所述传导路径，造成所述传导路径中结构改变，增加通过所述传导路径的阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基础 集成电路 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路的方法，所述集成电路包含鳍片基础熔丝，所述方法包括：从半导体材料层产生鳍片，其中所述鳍片具有第一端与第二端；在所述鳍片上，从所述第一端至所述第二端形成传导路径；以及电连接所述传导路径至编程装置，所述编程装置可选择性导引编程电流通过所述传导路径，造成所述传导路径中结构改变，增加通过所述传导路径的阻抗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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