[发明专利]具有鳍片基础熔丝的集成电路及相关制造方法

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，所述集成电路包含鳍片基础熔丝，所述方法包括：

从半导体材料层产生鳍片，其中所述鳍片具有第一端与第二端；

在所述鳍片上，从所述第一端至所述第二端形成传导路径；以及

电连接所述传导路径至编程装置，所述编程装置可选择性导引编程电流通过所述传导路径，造成所述传导路径中结构改变，增加通过所述传导路径的阻抗。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成包括硅化所述鳍片，产生建立所述传导路径的金属硅化物。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成包括：

在所述鳍片上，成长磊晶层；以及

硅化所述磊晶层，产生建立所述传导路径的金属硅化物。

4.如权利要求3所述的方法，其中由于所述成长步骤，所述鳍片被部分P-掺杂与部分N-掺杂，以及其中在所述传导路径结构改变之后，所述鳍片用于作为二极管。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述编程装置用于导引编程电流通过所述传导路径，开启所述传导路径。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述编程装置是用于导引所述编程电流通过所述传导路径，开启所述传导路径以及消耗部分的所述鳍片。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述编程装置是用于导引小于约10毫安的所述编程电流通过所述传导路径。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述鳍片是主要鳍片，以及其中产生包括：

从所述半导体材料层建构相邻鳍片，其中各个相邻鳍片包括第一端、中央部与第二端；

屏蔽所述主要鳍片、各个相邻鳍片的所述第一端以及各个相邻鳍片的所述第二端；以及

蚀刻各个相邻鳍片的所述中央部。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成包括硅化所述主要鳍片，各个相邻鳍片的所述第一端以及各个相邻鳍片的所述第二端，产生建立所述传导路径的金属硅化物。

10.如权利要求8所述的方法，其中形成包括：

在所述主要鳍片上、各个相邻鳍片的所述第一端上以及各个相邻鳍片的所述第二端上，成长磊晶层，其中所述主要鳍片的所述第一端与各个相邻鳍片的所述第一端合并，以及其中所述主要鳍片的所述第二端与各个相邻鳍片的所述第二端合并；以及

硅化所述磊晶层，产生建立所述传导路径的金属硅化物。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述主要鳍片具有中央部，以及其中形成包括：

在所述主要鳍片的所述第一端上、各个相邻鳍片的所述第一端上、所述主要鳍片的所述第二端上以及在各个相邻鳍片的所述第二端上，成长磊晶层，其中所述主要鳍片的所述第一端与各个相邻鳍片的所述第一端合并，以及其中所述主要鳍片的所述第二端与各个相邻鳍片的所述第二端合并；以及

硅化所述主要鳍片的所述中央部与各个磊晶层，产生建立所述传导路径的金属硅化物。

12.如权利要求1所述的方法，其中电连接包括：

定位第一传导杆于所述鳍片的所述第一端上方的所述传导路径上；

将至少一第一传导栓接触所述第一传导杆；以及

将第一金属层互连至所述至少一第一传导栓以及至所述编程装置，使得所述编程装置导引所述编程电流通过所述第一金属层、通过所述至少一第一传导栓以及通过所述第一传导杆至所述传导路径。

13.如权利要求12所述的方法，还包括：

定位第二传导杆于所述鳍片的所述第二端上方的所述传导路径上；

将至少一第二传导栓接触所述第二传导杆；以及

将第二金属层互连至所述至少一第二传导栓以及将所述第二金属层接地。

14.一种制造集成电路的方法，所述集成电路具有鳍片基础熔丝，所述方法包括：

从本质半导体材料层形成多个鳍片，其中各个鳍片具有第一端、中央部与第二端；

屏蔽各个鳍片的所述第一端、各个鳍片的所述第二端以及所选择鳍片的所述中央部，定义多个未屏蔽的中央部；

蚀刻所述未屏蔽的中央部；

在所述所选择的鳍片上，从其第一端至其第二端形成传导路径；

电连接所述传导路径至编程装置，所述编程装置可选择性导引编程电流通过所述传导路径，造成所述传导路径中结构改变，包含通过所述传导路径的阻抗。