[发明专利]图像传感器有效
| 申请号: | 201210205846.X | 申请日: | 2012-06-20 |
| 公开(公告)号: | CN102693995A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
| 发明(设计)人: | 方娜;汪辉;苗田乐;陈杰;李国宏 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 成春荣;竺云 |
| 地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种图像传感器。本发明中,在图像传感器结构上直接制备包括第一介质材料和第二介质材料交替形成的周期性叠层结构的滤色结构,可以简化工艺,提高成品率,而且具有较高的滤色效率。采用ABAB...叠层作为滤色结构,可以通过选择适当的介质材料和周期实现对不同范围入射光的滤色,使滤色结构具有较高的滤色效率,并提高入射光的传输效率以及吸收效率。将滤色结构置于层间介质层中,在提供滤色的同时,进一步缩短了曝光过程中入射光在介质层中传播的光程,提高了曝光效率,使图像传感器具有更高的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,其特征在于,包括多个像素区域,所述像素区域包括感光结构,在所述感光结构的垂直上方设置有滤色结构,该滤色结构包括第一介质材料和第二介质材料交替形成的周期性叠层结构,其中第一介质材料和第二介质材料的介电常数不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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