[发明专利]图像传感器有效
| 申请号： | 201210205846.X | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102693995A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 方娜;汪辉;苗田乐;陈杰;李国宏 | 申请（专利权）人： | 上海中科高等研究院 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括多个像素区域，所述像素区域包括感光结构，在所述感光结构的垂直上方设置有滤色结构，该滤色结构包括第一介质材料和第二介质材料交替形成的周期性叠层结构，其中第一介质材料和第二介质材料的介电常数不同。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述周期性叠层结构的周期大于等于4。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述滤色结构的表面积大于等于所述感光结构的表面积。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，在所述滤色结构中，第一介质材料和第二介质材料的厚度相等。
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，在所述滤色结构中，第一介质材料和第二介质材料的厚度不等。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述第一介质材料为Ag，厚度为10nm；所述第二介质材料为MgF2，厚度为110nm，周期为4。
7.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述第一介质材料为TiO2，厚度为50nm；所述第二介质材料为SiO2，厚度为120nm，周期为8。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述滤色结构直接或者间隔一层或多层层间介质层覆盖在感光结构表面上方。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的图像传感器，其特征在于，在所述滤色结构中包括至少2个由第一介质材料和第二介质材料交替形成的周期性叠层结构，其中，第一介质材料和第二介质材料中，至少有一介质材料在不同周期性叠层结构中的厚度不等。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的图像传感器，其特征在于，在所述滤色结构中，还包括第三介质材料和第四介质材料交替形成的周期性叠层结构，其中，第三介质材料和第四介质材料的介电常数不同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
