[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底；依次在半导体衬底上沉积第一半导体材料和第二半导体材料，第一半导体材料与第二半导体材料的材料不同；依次图形化第二半导体材料、第一半导体材料，以分别形成鳍和半导体层，半导体层和鳍为沿平行于半导体衬底的第一方向的条状半导体层；在半导体层和鳍露出的半导体衬底上沉积绝缘材料；去除部分绝缘材料，使剩余绝缘材料与半导体层齐平，以形成绝缘层；在鳍上形成栅极结构；掺杂栅极结构露出的、位于栅极结构两侧的鳍，以形成源极和漏极。本发明还提供由制造方法形成的鳍式场效应晶体管。本发明鳍式场效应晶体管在解决浮体效应的同时具有较好的工艺可控性。

主权项

一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层中形成有沿平行于半导体衬底的第一方向的凹槽；填充于所述凹槽中的半导体层；位于所述半导体层上的鳍；沿平行于半导体衬底的第二方向覆盖于所述鳍上的栅极结构，所述第二方向与所述第一方向垂直；沿平行于半导体衬底的第一方向位于所述鳍两侧、位于所述半导体层上的源极和漏极；其中，所述半导体层的材料与所述鳍的材料不同。