[发明专利]半导体器件封装件及方法有效

专利信息
申请号: 201210203260.X 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN103050462B 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 刘浩君;庄其达;郭正铮;陈承先 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及的是一种结构的实施例。该结构包括衬底、芯片、以及强化部件。该衬底具有第一面,并且该第一面包括凹陷部。该芯片位于衬底的第一面上方并且与该第一面相接合。强化部件位于衬底的第一面的第一区域上方。该第一区域不位于芯片下方。强化部件的一部分设置在第一区域中的至少一些凹陷部中。本发明还提供了一种半导体器件封装件及方法。
搜索关键词: 半导体器件 封装 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件封装件结构,包括:衬底,具有第一面,所述第一面包括多个单独的凹陷部,所述凹陷部从所述第一面延伸到所述衬底中并且未穿透所述衬底;芯片,位于所述衬底的所述第一面上方,并且通过电连接件与所述第一面相接合;强化部件,位于所述衬底的所述第一面的第一区域上方,所述第一区域不位于所述芯片下方,所述强化部件的一部分设置在所述第一区域中的至少一些所述凹陷部中,并且所述强化部件包括盖状物,所述盖状物具有位于所述芯片上方的第一部分以及位于所述衬底的所述第一面的所述第一区域上方的第二部分;底部填充材料,位于所述芯片和所述衬底之间并围绕所述电连接件,所述底部填充材料设置在所述衬底的所述第一面的第二区域中的至少一些凹陷部中,所述第二区域位于所述芯片下方;以及热界面材料,所述热界面材料位于所述芯片的面和所述盖状物的所述第一部分之间,所述盖状物的所述第一部分包括盖状物凹陷部,所述热界面材料设置在至少一些所述盖状物凹陷部中。
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