[发明专利]半导体器件封装件及方法

权利要求书

1.一种半导体器件封装件结构，包括：

衬底，具有第一面，所述第一面包括多个单独的凹陷部，所述凹陷部从所述第一面延伸到所述衬底中并且未穿透所述衬底；

芯片，位于所述衬底的所述第一面上方，并且通过电连接件与所述第一面相接合；

强化部件，位于所述衬底的所述第一面的第一区域上方，所述第一区域不位于所述芯片下方，所述强化部件的一部分设置在所述第一区域中的至少一些所述凹陷部中，并且所述强化部件包括盖状物，所述盖状物具有位于所述芯片上方的第一部分以及位于所述衬底的所述第一面的所述第一区域上方的第二部分；

底部填充材料，位于所述芯片和所述衬底之间并围绕所述电连接件，所述底部填充材料设置在所述衬底的所述第一面的第二区域中的至少一些凹陷部中，所述第二区域位于所述芯片下方；以及

热界面材料，所述热界面材料位于所述芯片的面和所述盖状物的所述第一部分之间，所述盖状物的所述第一部分包括盖状物凹陷部，所述热界面材料设置在至少一些所述盖状物凹陷部中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装件结构，其中，所述衬底包括层和下部衬底，所述层位于所述下部衬底上方，所述凹陷部是穿过所述层的开口。

3.根据权利要求1所述的半导体器件封装件结构，其中，所述凹陷部是所述衬底的所述第一面中的凹口。

4.根据权利要求1所述的半导体器件封装件结构，其中，所述强化部件包括粘合剂，所述粘合剂位于所述盖状物的所述第二部分和所述衬底的所述第一面之间，所述粘合剂设置在所述第一区域中的至少一些所述凹陷部中。

5.根据权利要求4所述的半导体器件封装件结构，其中，所述盖状物的所述第二部分包括盖状物凹陷部，所述粘合剂设置在至少一些所述盖状物凹陷部中。

6.一种半导体器件封装件结构，包括：

衬底，在顶面中具有多个单独的凹陷部，所述凹陷部从所述顶面延伸到所述衬底中并且未穿透所述衬底；

芯片，通过电连接件与所述顶面相接合；

底部填充材料，位于所述衬底的所述顶面和所述芯片之间并围绕所述电连接件，所述底部填充材料位于所述衬底的所述顶面的第一区域中的至少一些凹陷部中，所述第一区域位于所述芯片下方；以及

部件，所述部件位于所述衬底的所述顶面上，并且所述部件的一部分设置在所述衬底的所述顶面的第二区域中的至少一些所述凹陷部中，所述第二区域不位于所述芯片下方，并且所述部件包括盖状物，所述盖状物具有位于所述芯片上方的所述盖状物的第一部分中的第一盖状物凹陷部，热界面材料位于所述芯片和所述第一部分之间并且设置在至少一些所述第一盖状物凹陷部中。

7.根据权利要求6所述的半导体器件封装件结构，其中，所述衬底包括层和下部衬底，所述层位于所述下部衬底上方，所述凹陷部是穿过所述层的开口。

8.一种用于制造半导体器件封装件结构的方法，包括：

提供衬底，所述衬底在顶面中具有多个单独的凹陷部，所述凹陷部从所述顶面延伸到所述衬底中并且未穿透所述衬底；

将芯片通过电连接件与所述衬底的所述顶面相接合；

提供位于所述芯片和所述衬底之间并围绕所述电连接件的底部填充材料，所述底部填充材料设置在所述衬底的所述顶面的第二区域中的至少一些所述凹陷部中，所述第二区域位于所述芯片下方；以及

在所述衬底的所述顶面上提供强化部件，所述强化部件的一部分设置在至少一些所述凹陷部中；

其中，所述强化部件包括盖状物，所述盖状物具有位于所述芯片上方的第一部分以及位于所述衬底的第一面的第一区域上方的第二部分，并且热界面材料位于所述芯片的面和所述盖状物的所述第一部分之间，所述盖状物的所述第一部分包括盖状物凹陷部，所述热界面材料设置在至少一些所述盖状物凹陷部中。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，提供所述衬底包括：

在下部衬底上方形成层；以及

穿过所述层图案化开口，所述开口是所述凹陷部。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，提供所述衬底包括：在所述衬底中蚀刻凹口，所述凹口是所述凹陷部。