[发明专利]一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，包括以下步骤：（1）对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；（2）制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HCl和H2O2的混合溶液，并且HF、HCl和H2O2按体积比为3～15：3～15：1～5；（3）使用清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4～15min。本发明的清洗工艺对损伤层的刻蚀速率较慢，确保在刻蚀过程不对硅片表面绒面结构产生影响，适用于晶体硅RIE制绒的精细化表面结构的去损伤过程；工艺过程简单，无需经过碱洗和二次酸洗，大大减少了工艺流程，节省了原料，减低生产成本，适合产业化生产；废液排放量大幅减少，减轻了后续处理的负担。

主权项

一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；（2）制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HCl和H2O2的混合溶液，并且HF、HCl和H2O2按体积比为3～15：3～15：1～5；（3）使用步骤（2）中制备的清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4～15min，去除RIE刻蚀后表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；（4）再用去离子水对硅片进行清洗，甩干后备用。