[发明专利]一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺有效
| 申请号： | 201210202913.2 | 申请日： | 2012-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN102728573A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 赖涛;刘杰;王慧;姜丽丽;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/04 | 分类号： | B08B3/04;B08B3/08 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民;谢敏 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 rie 表面 损伤 清洗 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤：
（1）对RIE刻蚀后的硅片表面损伤层进行去离子水表面预清洗；
（2）制备清洗溶液，该清洗溶液为HF、HCl和H2O2的混合溶液，并且HF、HCl和H2O2按体积比为3～15：3～15：1～5；
（3）使用步骤（2）中制备的清洗溶液对硅片进行去损伤层清洗4～15min，去除RIE刻蚀后表面的损伤层，降低光生载流子的复合速率；
（4）再用去离子水对硅片进行清洗，甩干后备用。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，其特征在于：步骤（2）中所述的清洗溶液中，HF、HCl和H2O2的最佳体积比为3：7：2。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅RIE制绒表面损伤层的清洗工艺，其特征在于：步骤（3）中所述的清洗时间的最佳范围为5～6min。
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