[发明专利]一种硅片的铝掺杂方法有效
| 申请号： | 201210200799.X | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102723265A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 孟夏杰;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片的铝掺杂方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片进行清洗；(2)在硅片的表面沉积氧化铝膜；氧化铝膜的厚度为1~50纳米；(3)使用激光烧蚀上述沉积有氧化铝膜的硅片表面，在硅片表层内形成铝掺杂。本发明使用直接沉积的氧化铝膜作为铝掺杂的来源，实验证明，可以获得具有高表面浓度铝掺杂的发射极；同时，相比于使用纯金属铝层，本发明的氧化铝膜在后续的流程中可以被稀盐酸方便的去除，不会给硅片带来污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的铝掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将待处理的硅片进行清洗；(2) 在硅片的表面沉积氧化铝膜；氧化铝膜的厚度为1~50纳米；(3) 使用激光烧蚀上述沉积有氧化铝膜的硅片表面，在硅片表层内形成铝掺杂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210200799.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于USB物理层接口芯片的全端口保护电路
- 下一篇：光纤连接器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
