[发明专利]一种硅片的铝掺杂方法有效
| 申请号： | 201210200799.X | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102723265A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 孟夏杰;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 掺杂 方法 | ||
1.一种硅片的铝掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将待处理的硅片进行清洗；
(2) 在硅片的表面沉积氧化铝膜；氧化铝膜的厚度为1~50纳米；
(3) 使用激光烧蚀上述沉积有氧化铝膜的硅片表面，在硅片表层内形成铝掺杂。
2.根据权利要求1所述的硅片的铝掺杂方法，其特征在于：所述步骤(1)和(2)之间，还设有制绒步骤。
3.根据权利要求1所述的硅片的铝掺杂方法，其特征在于：所述步骤(1)和(2)之间，还设有抛光步骤。
4.根据权利要求1所述的硅片的铝掺杂方法，其特征在于：所述激光烧蚀后的硅片区域的方阻为8~25 Ω/□；其表面铝原子浓度为1.0×1020~5.0×1020 cm-3。
5.根据权利要求1所述的硅片的铝掺杂方法，其特征在于：所述步骤(2)中，采用化学气相沉积、原子层沉积或溅射的方法沉积氧化铝膜。
6.一种硅片的铝掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将待处理的硅片进行清洗；
(2) 在硅片的表面沉积氧化铝膜；氧化铝膜的厚度为1~50纳米；
(3) 使用激光局部烧蚀上述沉积有氧化铝膜的硅片表面，在硅片表层内形成局部铝掺杂；
(4) 去除剩余的氧化铝膜。
7.根据权利要求6所述的硅片的铝掺杂方法，其特征在于：所述步骤(1)和(2)之间，还设有抛光步骤。
8.根据权利要求6所述的硅片的铝掺杂方法，其特征在于：所述激光由激光器产生，所述激光器为绿光532 nm，频率为50KHz~1MKHz，功率1~30W，扫描速度3~35m/s，激光光斑大小为20~300微米。
9.根据权利要求6所述的硅片的铝掺杂方法，其特征在于：所述激光烧蚀后的硅片区域的方阻为8~25 Ω/□；其表面铝原子浓度为1.0×1020~5.0×1020 cm-3。
10.根据权利要求6所述的硅片的铝掺杂方法，其特征在于：所述步骤(2)中，采用化学气相沉积、原子层沉积或溅射的方法沉积氧化铝膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210200799.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于USB物理层接口芯片的全端口保护电路
- 下一篇：光纤连接器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
