[发明专利]一种具有大击穿电压的半导体整流器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有大击穿电压的半导体整流器件的制备方法，利用窄带半导体对TiO2纳米管阵列进行修饰：通过阳极氧化法制得二氧化钛纳米管阵列模板，所得阵列模板经450℃退火3.5小时；再将其依次浸渍于硝酸铅溶液、去离子水、硫化钠溶液和去离子水中，所述溶液中铅和硫摩尔比Pb：S=1：1；循环5-8次，最后经超声处理，得到硫化铅修饰的二氧化钛纳米管阵列光阳极。本发明的二氧化钛纳米管阵列光阳极材料制备方法，生产工艺简单，制备的二氧化钛纳米管阵列光阳极材料电流密度和光电转换效率较高，可以直接应用。

主权项

一种具有大击穿电压的半导体整流器件的制备方法，利用窄带半导体对TiO2纳米管阵列进行修饰，包括以下步骤：A)阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列将铂片作为阴极、钛片作为阳极，将钛片浸入在0.25％wt氟化铵的乙二醇溶液中进行阳极氧化，电压为55v，氧化时间13小时，即在钛片表面生长出TiO2纳米管阵列；B)水热合成CuS/TiO2纳米管阵列复合材料将A步骤生长有TiO2纳米管阵列的钛片放入装有氯化铜和硫代硫酸钠的混合溶液中，混合溶液的氯化铜和硫代硫酸钠的摩尔浓度相同；用高压釜封好后，放入炉中加温，时间为17小时，温度为100℃。C)制作条形铝电极在CuS/TiO2纳米管阵列复合材料表面蒸镀铝电极，铝电极垂直于钛片的长边，蒸镀时真空度为5‑10‑4pa，铝电极的厚度为100nm，铝电极之间间隔2mm；以铝电极为正极，裸露的钛基底为负极，构成具有大击穿电压的半导体整流器件。