[发明专利]一种具有大击穿电压的半导体整流器件的制备方法无效
| 申请号： | 201210200420.5 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102810462A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 杨峰;柯川;杨勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 张澎 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 击穿 电压 半导体 整流 器件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有大击穿电压的半导体整流器件的制备方法，利用窄带半导体对TiO2纳米管阵列进行修饰，包括以下步骤：
A)阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列
将铂片作为阴极、钛片作为阳极，将钛片浸入在0.25％wt氟化铵的乙二醇溶液中进行阳极氧化，电压为55v，氧化时间13小时，即在钛片表面生长出TiO2纳米管阵列；
B)水热合成CuS/TiO2纳米管阵列复合材料
将A步骤生长有TiO2纳米管阵列的钛片放入装有氯化铜和硫代硫酸钠的混合溶液中，混合溶液的氯化铜和硫代硫酸钠的摩尔浓度相同；用高压釜封好后，放入炉中加温，时间为17小时，温度为100℃。
C)制作条形铝电极
在CuS/TiO2纳米管阵列复合材料表面蒸镀铝电极，铝电极垂直于钛片的长边，蒸镀时真空度为5-10-4pa，铝电极的厚度为100nm，铝电极之间间隔2mm；以铝电极为正极，裸露的钛基底为负极，构成具有大击穿电压的半导体整流器件。
2.根据权利要求1所述之具有大击穿电压的半导体整流器件的制备方法，其特征在于，所述混合溶液的氯化铜和硫代硫酸钠的摩尔浓度均为0.005-0.02mol/L。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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