[发明专利]保护元件以及具有此保护元件的静电放电保护装置有效

专利信息
申请号: 201210199039.1 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN103515374A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 何永涵 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关于一种保护元件以及具有此保护元件的静电放电保护装置。该静电放电保护装置,包括保护元件与元件控制器,且保护元件包括配置于N型深井区内的第一与第二P型井区、形成于N型深井区与第一P型井区内的第一N型晶体管,以及形成于N型深井区与第二P型井区内的第二N型晶体管。当静电脉冲出现在第一焊垫或第二焊垫时,元件控制器导通第一与第二N型晶体管其中之一,以释放静电脉冲。当第一与第二操作信号被供应至第一与第二焊垫时,元件控制器依据第一与第二操作信号关闭第一与第二N型晶体管,以致使保护元件无法形成电流路径。
搜索关键词: 保护 元件 以及 具有 静电 放电 保护装置
【主权项】:
一种静电放电保护装置,电性连接一第一焊垫与一第二焊垫,其特征在于其包括:一保护元件,具有一第一连接端、一第二连接端以及一第一至一第三控制端,其中该保护元件通过该第一与该第二连接端分别电性连接该第一与该第二焊垫,并包括:一P型基底,其包括一N型深井区、一第一P型井区与一第二P型井区,其中该第一与该第二P型井区配置于该N型深井区内;一第一N型晶体管,形成于该N型深井区与该第一P型井区内;及一第二N型晶体管,形成于该N型深井区与该第二P型井区内,且该第一与该第二N型晶体管的第一漏/源极电性连接该第一控制端,该第一与该第二N型晶体管的第二漏/源极分别电性连接该第一与该第二连接端,该第一与该第二N型晶体管的栅极分别电性连接该第二与该第三控制端;以及一元件控制器,电性连接该第一至该第三控制端,当一静电脉冲出现在该第一焊垫或该第二焊垫时,该元件控制器导通该第一与该第二N型晶体管其中之一,以通过该保护元件中的一电流路径来释放该静电脉冲,当一第一与一第二操作信号被供应至该第一与该第二焊垫时,该元件控制器依据该第一与该第二操作信号关闭该第一与该第二N型晶体管,以致使该保护元件无法形成该电流路径。
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