[发明专利]保护元件以及具有此保护元件的静电放电保护装置有效
申请号: | 201210199039.1 | 申请日: | 2012-06-15 |
公开(公告)号: | CN103515374A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 何永涵 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 元件 以及 具有 静电 放电 保护装置 | ||
1.一种静电放电保护装置,电性连接一第一焊垫与一第二焊垫,其特征在于其包括:
一保护元件,具有一第一连接端、一第二连接端以及一第一至一第三控制端,其中该保护元件通过该第一与该第二连接端分别电性连接该第一与该第二焊垫,并包括:
一P型基底,其包括一N型深井区、一第一P型井区与一第二P型井区,其中该第一与该第二P型井区配置于该N型深井区内;
一第一N型晶体管,形成于该N型深井区与该第一P型井区内;及
一第二N型晶体管,形成于该N型深井区与该第二P型井区内,且该第一与该第二N型晶体管的第一漏/源极电性连接该第一控制端,该第一与该第二N型晶体管的第二漏/源极分别电性连接该第一与该第二连接端,该第一与该第二N型晶体管的栅极分别电性连接该第二与该第三控制端;以及
一元件控制器,电性连接该第一至该第三控制端,当一静电脉冲出现在该第一焊垫或该第二焊垫时,该元件控制器导通该第一与该第二N型晶体管其中之一,以通过该保护元件中的一电流路径来释放该静电脉冲,当一第一与一第二操作信号被供应至该第一与该第二焊垫时,该元件控制器依据该第一与该第二操作信号关闭该第一与该第二N型晶体管,以致使该保护元件无法形成该电流路径。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置,其特征在于其中当该静电脉冲出现在该第一焊垫时,该元件控制器将该静电脉冲导引至该第一控制端,且该元件控制器导通该第二N型晶体管,并关闭该第一N型晶体管。
3.根据权利要求2所述的静电放电保护装置,其特征在于其中该元件控制器还将该静电脉冲导引至该第三控制端,并将该第二控制端的电压准位下拉至一接地电压。
4.根据权利要求2所述的静电放电保护装置,其特征在于其中该元件控制器还将该静电脉冲导引至该第二控制端与该第三控制端。
5.根据权利要求1所述的静电放电保护装置,其特征在于其中该元件控制器包括:
一第一选择电路,电性连接该第一焊垫、该第二焊垫与该第一控制端,其中该第一选择电路会从来自该第一与该第二焊垫的信号中选出一高准位信号,并输出该高准位信号至该第一控制端;以及
一第一控制电路,电性连接该第一焊垫、该第二焊垫、该第二控制端与该第三控制端,其中该第一控制电路依据来自该第一与该第二焊垫的信号的频率,来调整该第二控制端与该第三控制端的电压准位。
6.根据权利要求5所述的静电放电保护装置,其特征在于其中该第一选择电路包括:
一第一P型晶体管,其栅极电性连接该第一焊垫;
一第二P型晶体管,其栅极电性连接该第一焊垫,且该第一P型晶体管与该第二P型晶体管串接在该第二焊垫与该第一控制端之间;
一第三P型晶体管,其栅极电性连接该第二焊垫;以及
一第四P型晶体管,其栅极电性连接该第二焊垫,且该第三P型晶体管与该第四P型晶体管串接在该第一焊垫与该第一控制端之间。
7.根据权利要求5所述的静电放电保护装置,其特征在于其中该第一控制电路包括:
一第一电容,其第一端电性连接该第一焊垫,该第一电容的第二端电性连接该第三控制端;
一第一电阻,其第一端电性连接该第一电容的第二端,该第一电阻的第二端电性连接该第二焊垫;
一第二电容,其第一端电性连接该第二焊垫,该第二电容的第二端电性连接该第二控制端;以及
一第二电阻,其第一端电性连接该第二电容的第二端,该第二电阻的第二端电性连接该第一焊垫。
8.根据权利要求5所述的静电放电保护装置,其特征在于其中该第一控制电路包括:
一第三电容,其第一端电性连接该第一焊垫,该第三电容的第二端电性连接该第三控制端;
一第三N型晶体管,其第一漏/源极电性连接该第三电容的第二端,该第三N型晶体管的栅极电性连接该第一选择电路,该第三N型晶体管的第二漏/源极电性连接该第二焊垫;
一第四电容,其第一端电性连接该第二焊垫,该第四电容的第二端电性连接该第二控制端;以及
一第四N型晶体管,其第一漏/源极电性连接该第四电容的第二端,该第四N型晶体管的栅极电性连接该第一选择电路,该第四N型晶体管的第二漏/源极电性连接该第一焊垫。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的