[发明专利]非晶碳基薄膜与金属基体间梯度过渡层的制备方法无效
| 申请号： | 201210196791.0 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102703859A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 吴行阳;黄一鸣;华子恺;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C23C16/505;C23C16/511;C23C16/26 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非晶碳基薄膜与金属基体间梯度过渡层的制备方法。本方法采用溅射、反应溅射与射频或微波化学气相沉积法相结合的技术进行制备，所用设备包括一个或两个及以上的金属溅射靶，连接有射频或直流溅射电源；金属靶材为铬、钛、铜、铝、锰、钨、钼、铁、硅、锌、镁、锡、镍、钴、铟、锗和镓中的一种纯金属或含有其中至少一种元素的合金，采用两个或以上金属溅射靶时选用相同或不同的靶材；溅射气体为氩气或氦气；反应气体为室温下饱和蒸汽压在0.1Pa以上的有机化合物或含有氮、硅、硼、磷、硫、卤素或氧元素的化合物或氮气中的一种或两种及以上；金属基体通过样品台接有射频或微波电源，在进行溅射或反应溅射的同时，在金属基体上施加射频或微波功率。采用本方法制备梯度过渡层，可增加膜基结合力与薄膜致密度，从而提高薄膜的承载能力。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶碳基 薄膜 金属 基体 梯度 过渡 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶碳基薄膜与金属基体间的梯度过渡层的制备方法，其特征在于采用溅射、反应溅射与射频或微波化学气相沉积法相结合的技术进行制备，所用设备包括一个或两个及以上的金属溅射靶（2），连接有射频或直流溅射电源（1）；金属靶材为铬、钛、铜、铝、锰、钨、钼、铁、硅、锌、镁、锡、镍、钴、铟、锗和镓中的一种纯金属或含有其中至少一种元素的合金，采用两个或以上金属溅射靶（2）时，采用相同或不同的靶材；溅射气体（3）为氩气或氦气；反应气体（4）为室温下饱和蒸汽压在0.1Pa以上的有机化合物，或含有氮、硅、硼、磷、硫、卤素或氧元素的化合物，或氮气中的一种或两种及以上；金属基体（7）通过样品台（5）接有射频或微波电源（6），在进行溅射或反应溅射的同时，在金属基体（7）上施加射频或微波功率。
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