[发明专利]非晶碳基薄膜与金属基体间梯度过渡层的制备方法

权利要求书

1.一种非晶碳基薄膜与金属基体间的梯度过渡层的制备方法，其特征在于采用溅射、反应溅射与射频或微波化学气相沉积法相结合的技术进行制备，所用设备包括一个或两个及以上的金属溅射靶（2），连接有射频或直流溅射电源（1）；金属靶材为铬、钛、铜、铝、锰、钨、钼、铁、硅、锌、镁、锡、镍、钴、铟、锗和镓中的一种纯金属或含有其中至少一种元素的合金，采用两个或以上金属溅射靶（2）时，采用相同或不同的靶材；溅射气体（3）为氩气或氦气；反应气体（4）为室温下饱和蒸汽压在0.1Pa以上的有机化合物，或含有氮、硅、硼、磷、硫、卤素或氧元素的化合物，或氮气中的一种或两种及以上；金属基体（7）通过样品台（5）接有射频或微波电源（6），在进行溅射或反应溅射的同时，在金属基体（7）上施加射频或微波功率。

2.根据权利要求1所述的非晶碳基薄膜与金属基体间的梯度过渡层的制备方法，其特征在于：在沉积金属层或化合物层的同时，金属基体（7）上施加有射频或微波功率；梯度过渡层之上的非晶碳基薄膜层制备方法是沉积上述梯度过渡层时的射频化学气相沉积或微波化学气相沉积，或者是任何常用的非晶碳基薄膜沉积方法。

3.根据权利要求1或2所述的非晶碳基薄膜与金属基体间的梯度过渡层的制备方法，其特征在于，在沉积金属层或化合物层时，金属基体（7）上射频或微波功率的施加方式是连续施加方式或者间断或部分施加方式。