[发明专利]磁控管溅射方法、磁控溅射电极及其装置有效
| 申请号： | 201210194286.2 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN103290377A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 何宁;韩拓扬;潘高 | 申请（专利权）人： | 成都天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 611730 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁控管溅射方法、磁控管溅射电极及其装置，通过在上一处理基板成膜结束后，下一处理基板搬运至与靶对向位置之前，平行移动产生溅射靶的等离子体的磁通，使所述磁通往返运动的折返端位置相对靶改变，进而使得下一处理基板成膜时溅射靶形成的刻蚀区域相对上一处理基板成膜时溅射靶形成的刻蚀区域发生变动，从而提高靶材使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控管 溅射 方法 磁控溅射 电极 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种磁控管溅射方法，包括：向真空室内配置的靶的对向位置顺序搬运处理基板，在该靶的前方形成磁通，同时在靶与处理基板间形成电场，磁通与电场共同作用使等离子体溅射靶，所述磁通以一预设速度相对靶做平行的往返运动以在处理基板上成膜，其特征在于，在上一处理基板成膜结束后，下一处理基板搬运至与靶对向位置之前，平行移动所述磁通以使所述磁通往返运动的折返端位置相对靶改变。
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