[发明专利]磁控管溅射方法、磁控溅射电极及其装置

权利要求书

1.一种磁控管溅射方法，包括：向真空室内配置的靶的对向位置顺序搬运处理基板，在该靶的前方形成磁通，同时在靶与处理基板间形成电场，磁通与电场共同作用使等离子体溅射靶，所述磁通以一预设速度相对靶做平行的往返运动以在处理基板上成膜，其特征在于，在上一处理基板成膜结束后，下一处理基板搬运至与靶对向位置之前，平行移动所述磁通以使所述磁通往返运动的折返端位置相对靶改变。

2.如权利要求1所述的磁控管溅射方法，其特征在于，平行移动所述磁通而产生的所有折返端位置均不同。

3.如权利要求1所述的磁控管溅射方法，其特征在于，平行移动所述磁通而产生的所有折返端位置包含周期性重复位置。

4.如权利要求3所述的磁控管溅射方法，其特征在于，所述周期性重复位置重复的周期大于或等于2。

5.如权利要求1至4中任一项所述的磁控管溅射方法，其特征在于，所述折返端位置在靶区域以内但在处理基板成膜溅射区域以外。

6.一种磁控管溅射电极，其特征在于，包括：

在处理基板对面设置的靶；

在所述靶的背面设置的磁铁组件，用于在该靶的前方形成磁通；

在所述靶的背面设置的驱动装置，用于驱动所述磁铁组件以一预设速度相对靶做平行的往返运动以在处理基板上成膜，并在上一处理基板成膜结束后，下一处理基板搬运至与靶对向位置之前，平行移动所述磁铁组件以使所述磁铁组件往返运动的折返端位置相对靶改变。

7.如权利要求6所述的磁控管溅射电极，其特征在于，平行移动所述磁通而产生的所有折返端位置均不同。

8.如权利要求6所述的磁控管溅射电极，其特征在于，平行移动所述磁通而产生的所有折返端位置包含周期性重复位置。

9.如权利要求8所述的磁控管溅射电极，其特征在于，所述周期性重复位置重复的周期大于或等于2。

10.如权利要求6至9中任一项所述的磁控管溅射电极，其特征在于，所述折返端位置在靶区域以内但在处理基板成膜溅射区域以外。

11.一种磁控溅射装置，其特征在于，包括权利要求6至10中任一项所述的磁控溅射电极。

12.如权利要求11所述的磁控管溅射装置，其特征在于，还包括：

真空溅射室，用于提供真空环境；

基板搬运装置，设置于真空溅射室中，用于搬运处理基板；

气体导入装置，用于向真空溅射室导入气体；以及

溅射电源，用于向靶提供电力。