[发明专利]磁阻随机存储器有效
| 申请号： | 201210193379.3 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103219461A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 江典蔚;林楷竣;高雅真;于鸿昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种磁阻随机存储器(MRAM)单元，包括了磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶电极、设置在MTJ下方的底电极，以及设置在MTJ上方或下方的感应线。感应线被配置成在MTJ处产生磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机 存储器 | ||
【主权项】：
一种磁阻随机存储器(MARM)单元，包括：磁隧道结(MTJ)；顶电极，设置在所述MTJ上方；底电极，设置在所述MTJ下方；以及感应线，设置在所述MTJ上方或下方，其中，所述感应线被配置为在所述MTJ处产生磁场。
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