[发明专利]磁阻随机存储器有效
| 申请号： | 201210193379.3 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103219461A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 江典蔚;林楷竣;高雅真;于鸿昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机 存储器 | ||
1.一种磁阻随机存储器(MARM)单元，包括：
磁隧道结(MTJ)；
顶电极，设置在所述MTJ上方；
底电极，设置在所述MTJ下方；以及
感应线，设置在所述MTJ上方或下方，
其中，所述感应线被配置为在所述MTJ处产生磁场。
2.根据权利要求1所述的MRAM单元，其中，所述感应线设置在所述MTJ正上方或正下方。
3.根据权利要求1所述的MRAM单元，其中，所述感应线包括用于在所述MTJ处产生所述磁场的拱形部分。
4.根据权利要求1所述的MRAM单元，其中，所述感应线被设置在所述MTJ的一侧。
5.根据权利要求1所述的MRAM单元，进一步包括：第二感应线，所述第二感应线被配置为在所述MTJ处产生磁场。
6.根据权利要求1所述的MRAM单元，其中，如果所述感应线设置在所述MTJ上方，那么所述感应线形成在不同于所述顶电极的层中，如果所述感应线设置在所述MTJ下方，那么所述感应线形成在不同于所述底电极的层中。
7.根据权利要求1所述的MRAM单元，其中，所述MTJ包括自由层、固定层、以及设置在所述自由层和所述固定层之间的绝缘体，所述固定层具有固定的磁极，所述自由层具有可变的磁极。
8.根据权利要求1所述的MRAM单元，其中，所述MTJ具有卵形或椭圆形形状。
9.一种MRAM单元阵列写入电路，包括：
多个MRAM单元，布置在行和列所组成的阵列中，每个MRAM单元均包括磁隧道结(MTJ)，设置在所述MTJ上方的顶电极、设置在所述MTJ下方的底电极；
至少一条感应线，相对于两列MRAM单元中的每列设置，每条感应线均被配置为在相对每条所述感应线设置的所述MTJ处产生磁场；以及
至少一个电流源，用于向所述至少一条感应线提供电流。
10.一种磁阻随机存储器(MRAM)单元，包括：
磁隧道结(MTJ)，具有卵形形状或具有短(X)轴和长(Y)轴的椭圆形形状；
顶电极，设置在所述MTJ上方；
底电极，设置在所述MTJ下方；以及
感应线，设置在所述MTJ上方或下方；
其中，所述感应线被配置成在所述MTJ处产生磁场。
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