[发明专利]半导体器件中的伸长凸块结构有效
| 申请号： | 201210191875.5 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103000598A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 郭正铮;庄其达;林宗澍;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括接合至衬底的芯片。该芯片包括：导电柱，该导电柱具有沿着导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着导电柱的短轴测量的宽度(W)；以及衬底，该衬底包括导电迹线和位于导电迹线上面的掩模层，其中掩模层具有暴露出一部分导电迹线的开口，其中，在导电柱和导电迹线的暴露部分之间形成互连，开口具有沿着导电柱的长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着导电柱的短轴测量的第二尺寸(d2)，并且L与d1的比值大于W与d2的比值。本发明提供半导体器件中的伸长凸块结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 伸长 结构 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：芯片，包括凸块结构，其中所述凸块结构包括导电柱，所述导电柱具有沿着所述导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着所述导电柱的短轴测量的宽度(W)；以及衬底，包括导电迹线和位于所述导电迹线上面的掩模层，其中所述掩模层具有暴露出一部分所述导电迹线的开口，其中，所述芯片接合至所述衬底以在所述导电柱和所述导电迹线的暴露部分之间形成互连，以及其中，所述开口具有沿着所述导电柱的长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着所述导电柱的短轴测量的第二尺寸(d2)，并且L与d1的比值大于W与d2的比值。
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