[发明专利]半导体器件中的伸长凸块结构有效
| 申请号： | 201210191875.5 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103000598A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 郭正铮;庄其达;林宗澍;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 伸长 结构 | ||
1.一种器件，包括：
芯片，包括凸块结构，其中所述凸块结构包括导电柱，所述导电柱具有沿着所述导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着所述导电柱的短轴测量的宽度(W)；以及
衬底，包括导电迹线和位于所述导电迹线上面的掩模层，其中所述掩模层具有暴露出一部分所述导电迹线的开口，
其中，所述芯片接合至所述衬底以在所述导电柱和所述导电迹线的暴露部分之间形成互连，以及
其中，所述开口具有沿着所述导电柱的长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着所述导电柱的短轴测量的第二尺寸(d2)，并且L与d1的比值大于W与d2的比值。
2.根据权利要求1所述的器件，其中L与d1的比值处于1.05至2.0的范围内。
3.根据权利要求1所述的器件，其中W与d2的比值处于0.8至1.3的范围内。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导电柱具有伸长的形状。
5.根据权利要求1所述的器件，进一步包括焊点区，所述焊点区位于所述导电柱和所述导电迹线的暴露部分之间。
6.一种器件，包括：
导电柱，形成于第一衬底上，所述导电柱具有沿着所述导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着所述导电柱的短轴测量的宽度(W)；
导电迹线，形成于第二衬底上；以及
掩模层，位于所述导电迹线和所述第二衬底的上面，所述掩模层具有暴露出一部分所述导电迹线的开口，
其中，所述导电柱通过焊料层连接至所述导电迹线的暴露部分，以及
其中，所述掩模层的开口具有沿着所述导电柱的长轴测量的第一尺寸(d1)，并且d1小于L。
7.根据权利要求6所述的器件，其中，L与d1的比值处于1.05至2.0的范围内。
8.根据权利要求6所述的器件，其中，所述掩模层的开口具有沿着所述导电柱的短轴测量的第二尺寸(d2)，并且W与d2的比值处于0.8至1.3的范围内。
9.一种器件，包括：
芯片，包括凸块结构，其中所述凸块结构包括导电柱，所述导电柱具有沿着所述导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着所述导电柱的短轴测量的宽度(W)；以及
衬底，包括导电迹线和位于所述导电迹线上面的掩模层，其中所述掩模层具有暴露出一部分所述导电迹线的开口，
其中，所述芯片接合至所述衬底以在所述导电柱和所述导电迹线的暴露部分之间形成互连，以及
其中，所述开口具有沿着所述导电柱的长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着所述导电柱的短轴测量的第二尺寸(d2)，并且L与d1的比值不等于W与d2的比值。
10.根据权利要求9所述的器件，其中，L与d1的比值处于1.05至2.0的范围内。
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