[发明专利]一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201210191475.4 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102694075A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 胡俊青;李文尧;李高;刘倩;彭彦玲;薛雅芳;蒋林 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，包括：（1）将硅片依次用去离子水、酒精、丙酮超声清洗5~20分钟，用去离子水清洗后再置于氧化剂溶液中浸泡5~30分钟，接着转移到氢氟酸溶液中浸泡1~10分钟，得到清洗后的硅片；（2）将上述清洗后的硅片置于刻蚀液中，然后外加匀强电场，常压下加热到40~90℃，并保温30~90分钟；最后用浓硝酸溶液清除银纳米粒子后真空干燥，即得。本发明的制备方法成本低廉、操作简单，得到的倾斜硅纳米线阵列相比垂直硅纳米线阵列具有更好的陷光效应和更高的光电转化效率，拓展了硅半导体在光电纳米器件的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 倾斜 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，包括：（1）将硅片依次用去离子水、酒精、丙酮超声清洗5~20分钟，用去离子水清洗后再置于氧化剂溶液中浸泡5~30分钟，接着转移到氢氟酸溶液中浸泡1~10分钟，得到清洗后的硅片；（2）将上述清洗后的硅片置于刻蚀液中，然后外加匀强电场，常压下加热到40~90℃，并保温30~90分钟；最后用浓硝酸溶液清除银纳米粒子后真空干燥，即得。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
