[发明专利]一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，包括：

（1）将硅片依次用去离子水、酒精、丙酮超声清洗5~20分钟，用去离子水清洗后再置于氧化剂溶液中浸泡5~30分钟，接着转移到氢氟酸溶液中浸泡1~10分钟，得到清洗后的硅片；

（2）将上述清洗后的硅片置于刻蚀液中，然后外加匀强电场，常压下加热到40~90℃，并保温30~90分钟；最后用浓硝酸溶液清除银纳米粒子后真空干燥，即得。

2.根据权利要求1所述的一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的氢氟酸溶液的质量分数5%~15%。

3.根据权利要求1所述的一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的硅片的电阻率为1~10Ω·cm。

4.根据权利要求1所述的一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的氧化剂溶液为H₂SO₄与H₂O₂的混合液，其中H₂SO₄与H₂O₂的体积比为2:1~4:1。

5.根据权利要求1所述的一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的刻蚀液为氢氟酸、盐和双氧水中的一种或几种的水溶液。

6.根据权利要求5所述的一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述的盐为银盐、铁盐、金盐中的一种或几种。

7.根据权利要求6所述的一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述的银盐为硝酸银，其在刻蚀液中的浓度为0.01~0.05mol/L。

8.根据权利要求5所述的一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述的氢氟酸的浓度为3~6mol/L，双氧水的浓度为0.1~1.0mol/L。

9.根据权利要求1所述的一种电场下倾斜硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的外加匀强电场的强度为100~600V/m。