[发明专利]半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 201210190898.4 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103489901A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 娄翠红;刘厚超;唐翠;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用沟槽工艺形成的半导体结构及其形成方法，通过设置与栅极沟槽连接的栅极引出沟槽，该栅极引出沟槽通过栅极接触孔与栅极金属电极接触，替代传统的栅极接触沟槽与栅极金属电极直接接触的结构，形成该半导体结构仅需要使用三次掩膜：沟槽掩膜、接触孔掩膜、金属层掩膜。相对于传统的五次掩膜工艺，在不降低器件性能的同时，大大减少MOSFET器件制造过程中的掩膜次数，降低工艺复杂度，降低成本，减少器件的制造时间，提供生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面依次形成有外延层和绝缘层；源极区，形成在所述半导体衬底的所述第一表面，包括：多条相互连通的栅极沟槽，形成在所述外延层中，分别沿第一方向和第二方向平行设置，所述多条栅极沟槽将所述源极区划分为多个元胞区，源极金属电极，形成在所述绝缘层上，和多个源极接触孔，每个所述源极接触孔分别位于每个所述元胞区，贯通所述源极金属电极和绝缘层到达所述外延层；栅极区，形成在所述半导体衬底的所述第一表面，包括：至少一条栅极引出沟槽，形成在所述外延层中，与所述栅极沟槽连接，栅极金属电极，形成在所述绝缘层上，和至少一个栅极接触孔，每条所述栅极引出沟槽分别通过每个所述栅极接触孔与所述栅极金属电极连接；和漏极，形成在所述半导体衬底的第二表面。
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