[发明专利]一种碳微电极阵列结构的制备方法有效
申请号: | 201210186834.7 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN102730628A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 汤自荣;史铁林;徐亮亮;龙胡;习爽;刘丹;夏奇;廖广兰 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于碳微机电技术领域,为一种碳微电极阵列结构的制备方法。其步骤包括①光刻步骤,得到阵列的碳微结构部分;②沉积金属步骤:在所得到的碳微结构表面沉积一层或多层金属层;③热解步骤:在惰性气体氛围或惰性混合气体氛围环境下,在不同的温度下进行多步热解;通过上述步骤,即可生长得到表面集成碳纳米结构的碳微电极阵列结构。本发明将厚胶光刻、金属沉积和热解相结合,得到的微纳集成结构拥有较大的比表面积,本发明的方法运用于微机电系统中,具有工艺简便,成本低廉、可控性高、可大批量生长、结构优良等特点,得到的微纳集成结构具有良好的电学性能,故可作为电机,在微型电池、微型电化学传感器等微机领域中会有较广泛的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 微电极 阵列 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碳微电极阵列结构的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:(1) 光刻步骤:在基片上使用负胶进行光刻,得到光刻胶的阵列结构; (2) 沉积金属步骤:在所得到的光刻胶的阵列结构上沉积至少一层金属层;所述各金属层为单金属或合金;(3) 热解步骤:在保护气体环境下进行热解,得到表面集成了金属纳米褶皱结构的碳微结构。
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