[发明专利]一种碳微电极阵列结构的制备方法

权利要求书

1. 一种碳微电极阵列结构的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

(1) 光刻步骤：在基片上使用负胶进行光刻，得到光刻胶的阵列结构；

 (2) 沉积金属步骤：在所得到的光刻胶的阵列结构上沉积至少一层金属层；所述各金属层为单金属或合金；

(3) 热解步骤：在保护气体环境下进行热解，得到表面集成了金属纳米褶皱结构的碳微结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述单金属或合金的熔点为600℃至1500℃。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，保护气体为惰性气体，或者氮气。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，热解过程中，在保护气体中混入氢气，氢气的体积百分比在10%以下。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，热解时，最高温度为600℃至1100℃。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，热解通过单步、两步或多步完成。

7.根据权利要求1至6中任一所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，光刻的具体过程为：

(1.1)清洗：光刻前清洗硅基片；

(1.2)匀胶：在清洗后的基片上涂覆光刻胶，然后利用匀胶机进行匀胶；匀胶结束后对匀胶后的基片进行前烘处理；

(1.3)曝光：将前烘处理后的基片在光刻机上使用掩膜版进行对准曝光，曝光后得到的基片再拿去进行中烘处理；

(1.4)显影：在中烘处理后，对基片再进行显影操作，待显影充分后，进行后烘处理，得到光刻胶的阵列结构。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所采用的光刻胶为SU-8负胶。