[发明专利]MOCVD反应腔及工艺设备有效
| 申请号： | 201210183185.5 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103451621A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 袁福顺 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOCVD反应腔及工艺设备。该MOCVD反应腔包括腔体、托盘、中央进气装置、外部加热装置和内部加热装置，所述中央进气装置位于所述腔体内部的中间位置，所述托盘位于所述腔体内部且设置于所述中央进气装置的周围，所述外部加热装置位于所述腔体的外部，所述内部加热装置位于所述中央进气装置的内部；所述托盘，用于承载衬底；所述中央进气装置，用于向所述腔体通入反应气体；所述外部加热装置，用于对所述托盘进行加热；所述内部加热装置，用于对所述托盘进行加热。本发明降低了反应气体发生预反应的机率，并且使得反应气体可形成稳定的反应气体流场。 | ||
| 搜索关键词： | mocvd 反应 工艺设备 | ||
【主权项】：
一种MOCVD反应腔，其特征在于，包括：腔体、托盘、中央进气装置、外部加热装置和内部加热装置，所述中央进气装置位于所述腔体内部的中间位置，所述托盘位于所述腔体内部且设置于所述中央进气装置的周围，所述外部加热装置位于所述腔体的外部，所述内部加热装置位于所述中央进气装置的内部；所述托盘，用于承载衬底；所述中央进气装置，用于向所述腔体通入反应气体；所述外部加热装置，用于对所述托盘进行加热；所述内部加热装置，用于对所述托盘进行加热。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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