[发明专利]MOCVD反应腔及工艺设备

权利要求书

1.一种MOCVD反应腔，其特征在于，包括：腔体、托盘、中央进气装置、外部加热装置和内部加热装置，所述中央进气装置位于所述腔体内部的中间位置，所述托盘位于所述腔体内部且设置于所述中央进气装置的周围，所述外部加热装置位于所述腔体的外部，所述内部加热装置位于所述中央进气装置的内部；

所述托盘，用于承载衬底；

所述中央进气装置，用于向所述腔体通入反应气体；

所述外部加热装置，用于对所述托盘进行加热；

所述内部加热装置，用于对所述托盘进行加热。

2.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述中央进气装置包括外壁和内壁，所述内壁围成一内部空间，所述内部加热装置位于所述内壁围成的内部空间之中，所述外壁和内壁之间形成有进气通道，所述外壁上开设有若干进气口，所述进气通道内的反应气体通过所述进气口进入所述腔体。

3.根据权利要求2所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述外壁为筒状结构，所述内壁为筒状结构。

4.根据权利要求2所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述进气口包括：通孔或者狭缝。

5.根据权利要求2所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述内壁与所述内部加热装置之间设置有冷却系统，所述冷却系统用于对所述进气通道内的反应气体进行冷却。

6.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述MOCVD反应腔还包括第一测温装置和第二测温装置，所述第一测温装置用于测量出第一控温点的温度，所述第二测温装置用于测量出第二控温点的温度，比较第一温控点和第二温控点的温度，并根据比较结果调整外部加热装置和内部加热装置的输出功率，以使第一控温点的温度和第二控温点的温度的差值在预定差值范围之内；所述第一控温点位于所述托盘上指定衬底的靠近所述外部加热装置的一端，所述第二控温点位于所述托盘上指定衬底的靠近所述内部加热装置的一端。

7.根据权利要求6所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述MOCVD反应腔还包括：PID温度控制器；

所述PID温度控制器，用于根据比较所述第一设定温度和所述第一温控点的温度并根据比较结果调整所述外部加热装置的输出功率，以及比较所述第二设定温度和所述第二温控点的温度并根据比较结果调整所述内部加热装置的输出功率。

8.根据权利要求7所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述预定差值范围包括：-1℃至1℃。

9.根据权利要求1至8任一所述的MOCVD反应腔，其特征在于，所述外部加热装置为外部电感线圈，所述内部加热装置为内部电感线圈。

10.一种采用权利要求1至9任一所述的MOCVD反应腔的MOCVD工艺设备。