[发明专利]超大电流高频FRD二极管芯片及制作方法

摘要

一种超大电流高频快恢复FRD二极管芯片及制作方法，包括厚度为170μm～210μm、截面电阻率为3Ω/□~15Ω/□的N型衬底，N型衬底的△ρn/ρn≦15%、硅片基区宽度≥1.1倍空间电荷区宽度，设在N型衬底正面的N+区、N++区，设在N型衬底背面的P++区，所述N+区结深20μm～30μm，扩散电阻Rsp+为1.6Ω/□～2.4Ω/□，N++区结深为20μm～30μm，扩散电阻Rsp+为0.3Ω/□～0.5Ω/□，P++区结深为80μm～90μm，扩散电阻Rsp+为1Ω/□～3Ω/□。制作方法为：1采用N型硅单晶片，确保非穿通结构；2、在N型衬底上制作N+区；3、在N型衬底正、背面同时进行N++和P++扩散，形成N++区和P++区；低温扩铂，残余少子寿命为2~3微秒；步骤1～步骤4操作在无应力下进行。

主权项

一种超大电流高频FRD二极管芯片，包括N型衬底，其特征是：所述的N型衬底的厚度为170μm～210μm、截面电阻率为3Ω/□~15Ω/□，在N型衬底正面设有N+区、N++区，在N型衬底背面设有P++区，所述N+区结深20μm～30μm，扩散电阻Rsp+为1.6Ω/□ ～2.4Ω/□，N++区的结深为20μm～30μm，扩散电阻Rsp+为0.3Ω/□～0.5Ω/□，P++区的结深为80μm～90μm，扩散电阻Rsp+为1Ω/□～3Ω/□。