[发明专利]超大电流高频FRD二极管芯片及制作方法

权利要求书

1.一种超大电流高频FRD二极管芯片，包括N型衬底，其特征是：所述的N型衬底的厚度为170μm～210μm、截面电阻率为3Ω/□~15Ω/□，在N型衬底正面设有N+区、N⁺⁺区，在N型衬底背面设有P⁺⁺区，所述N⁺区结深20μm～30μm，扩散电阻R_sp+为1.6Ω/□ ～2.4Ω/□，N⁺⁺区的结深为20μm～30μm，扩散电阻R_sp+为0.3Ω/□～0.5Ω/□，P⁺⁺区的结深为80μm～90μm，扩散电阻R_sp+为1Ω/□～3Ω/□。

2.一种超大电流高频FRD二极管芯片的制作方法，其特征是：

2.1、硅片准备

采用厚度为170μm～210μm、截面电阻率均匀且为3Ω/□~15Ω/□的N型硅单晶片，所述N型硅单晶片的△ρn/ρn≦15%、硅片基区宽度≥1.1倍空间电荷区宽度，确保非穿通结构；

2.2、N⁺扩散

在N型衬底上制作N⁺区，所述N⁺区结深20μm～30μm，扩散电阻R_sp+为1.6Ω/□ ～2.4Ω/□，其浓度比衬底浓度高两个数量级，而比正常通态浓度低一个数量级；

2.3、N⁺⁺和P⁺⁺扩散

在N型衬底正、背面同时进行N⁺⁺和 P⁺⁺扩散，形成N⁺⁺区和P⁺⁺区，其中N⁺⁺区的结深为20μm～30μm，扩散电阻R_sp+为0.3Ω/□～0.5Ω/□；P⁺⁺区的结深为80μm～90μm，扩散电阻R_sp+为1Ω/□～3Ω/□；

2.4、低温扩铂

在双面同时扩硼、磷之后，单面去净硼硅玻璃层，保留另一面的厚磷硅玻璃层，从阳极面进行低温扩铂，残余少子寿命为2~3微秒；

2.5、步骤2.1～步骤2.4操作在无应力下进行。

3.根据权利要求2所述超大电流高频FRD二极管芯片的制作方法，其特征是：所述硅片基区宽度为空间电荷区宽度的1.1～1.15倍。

4.根据权利要求2所述超大电流高频FRD二极管芯片的制作方法，其特征是：扩铂的温度为940℃，时间为30分钟~60分钟。