[发明专利]电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210182177.9 | 申请日： | 2007-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102694087A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡树仁;周海龙;林建毅;潘晖 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及一种电子器件，包括：第一氮化镓层；通过在所述第一氮化镓层上掩模中的开口的阵列接触所述第一氮化镓层的第二氮化镓层；所述第二氮化镓层上覆盖的氧化锌层，其中所述覆盖的氧化锌层具有比所述第一氮化镓层的缺陷密度低的缺陷密度。本发明的实施例还提供了制造该电子器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：第一氮化镓层；通过在所述第一氮化镓层上的掩模中的开口的阵列接触所述第一氮化镓层的第二氮化镓层；以及所述第二氮化镓层上覆盖的氧化锌层，其中所述覆盖的氧化锌层具有比所述第一氮化镓层的缺陷密度低的缺陷密度。
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