[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

第一氮化镓层；

通过在所述第一氮化镓层上的掩模中的开口的阵列接触所述第一氮化镓层的第二氮化镓层；以及

所述第二氮化镓层上覆盖的氧化锌层，其中所述覆盖的氧化锌层具有比所述第一氮化镓层的缺陷密度低的缺陷密度。

2.根据权利要求1的器件，其中所述覆盖的氧化锌层包括n型材料，且其中所述第一氮化镓层包括p型材料。

3.根据权利要求1的器件，其中所述覆盖的氧化锌层包括约10⁸cm^-3的III族元素的掺杂浓度。

4.根据权利要求1的器件，还包括：

所述覆盖的氧化锌层的暴露表面上的第一电极；以及

所述第一氮化镓层的暴露表面上的第二电极。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述第一电极包括铟或铝中至少之一，且其中所述第二电极包括镍、铂、钯或金中至少之一。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括基板，其中所述第一氮化镓层设置在所述基板和所述第二氮化镓层之间。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述基板包括蓝宝石、硅或碳化硅。

8.根据权利要求6所述的器件，还包括所述基板上的氮化镓缓冲层，其中所述氮化镓缓冲层设置在所述基板和所述第一氮化镓层之间。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述氮化镓缓冲层具有30nm至40nm范围的厚度。

10.根据权利要求1所述的器件，还包括：

在所述覆盖的氧化锌层上的n型氧化锌层；

在所述n型氧化锌层上的量子阱结构；

在所述量子阱结构上的p型氧化锌层；

在所述n型氧化锌层的暴露表面上的第一电极；以及

在所述p型氧化锌层的暴露表面上的第二电极。

11.根据权利要求1所述的器件，其中所述电子器件包括光电器件。

12.根据权利要求1所述的器件，其中所述电子器件包括发光二极管器件。

13.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一氮化镓层具有1μm至4μm的范围的厚度。

14.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一氮化镓层具有10⁸cm^-2至10¹⁰cm^-2的范围的位错密度。

15.根据权利要求1所述的器件，其中所述覆盖的氧化锌层具有约10⁴cm^-2的位错密度。

16.一种制造电子器件的方法，该方法包括：

提供包括第一氮化镓层、覆盖所述第一氮化镓层的第二氮化镓层以及所述第二氮化镓层上覆盖的氧化锌层的基板，其中所述覆盖的氧化锌层具有比所述第一氮化镓层的缺陷密度低的缺陷密度；以及

使用所述覆盖的氧化锌层、所述第一氮化镓层或所述第二氮化镓层中的一种或更多种形成所述电子器件。

17.根据权利要求16的方法，其中所述形成所述电子器件包括以所述覆盖的氧化锌层形成光电器件。

18.根据权利要求16的方法，其中所述覆盖的氧化锌层包括n型材料，且其中所述第一氮化镓层包括p型材料。

19.根据权利要求16的方法，还包括：

在所述覆盖的氧化锌层的暴露表面上形成第一电极；以及

在所述第二氮化镓层的暴露表面上形成第二电极。

20.根据权利要求16的方法，还包括：

在所述覆盖的氧化锌层上形成n型氧化锌层；

在所述n型氧化锌层上形成量子阱结构；

在所述量子阱结构上形成p型氧化锌层；

在所述n型氧化锌层的暴露表面上形成第一电极；以及

在所述p型氧化锌层的暴露表面上形成第二电极。