[发明专利]一种覆晶式半导体发光器件结构与其制造方法有效
| 申请号： | 201210182009.X | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102683531A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 钟志白;杨建健;陈文欣;梁兆煊 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种覆晶式半导体发光器件结构及其制作方法。一种覆晶式半导体发光器件结构，包括：支撑基板；发光外延层位于所述支撑基板之上，依次由p型半导体层、发光活性层、n型半导体层、缓冲层构成；透光性生长衬底，位于所述发光外延层之上；其特征在于：一规则的图形化空气夹层，位于所述生长衬底与发光外延层之间，其具有光学匹配厚度。通过在衬底与外延层之间具有光学匹配厚度的图形化散热空气夹层，可以达到增加透光和散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 覆晶式 半导体 发光 器件 结构 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种覆晶式半导体发光器件结构，包括：支撑基板；发光外延层位于所述支撑基板之上，依次由p型半导体层、发光活性层、n型半导体层、缓冲层构成；透光性生长衬底，位于所述发光外延层之上；其特征在于：一规则的图形化空气夹层，位于所述生长衬底与发光外延层之间，其具有光学匹配厚度。
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