[发明专利]一种覆晶式半导体发光器件结构与其制造方法

权利要求书

1.一种覆晶式半导体发光器件结构，包括：支撑基板；发光外延层位于所述支撑基板之上，依次由p型半导体层、发光活性层、n型半导体层、缓冲层构成；透光性生长衬底，位于所述发光外延层之上；其特征在于：一规则的图形化空气夹层，位于所述生长衬底与发光外延层之间，其具有光学匹配厚度。

2.根据权利要求1所述的一种覆晶式半导体发光器件结构，其特征在于：所述发光活性层产生的光波长位于100nm～400nm。

3.根据权利要求1所述的一种覆晶式半导体发光器件结构，其特征在于：所述空气夹层呈带状分布，其上分布有透镜结构。

4.根据权利要求1所述的一种覆晶式半导体发光器件结构，其特征在于：所述空气夹层的厚度为所述发光活性层发光波长1/4的奇数倍。

5.根据权利要求1所述的一种覆晶式半导体发光器件结构，其特征在于：所述生长衬底的厚度为50um～300um。

6.一种覆晶式半导体发光器件的制作方法，包含如下步骤：

1）提供一透光性生长衬底，在其上形成连续凹状图形，构成图形化生长衬底；

2）在所述图形化生长衬底上形成一图形化过渡层，其将所述生长衬底上的凹状图形连接起来；

3）在所述图形化生长衬底上依次外延生长缓冲层、n型半导体层、发光活性层、p型半导体层，构成发光外延层，其覆盖图形化的过渡层；

4）在发光外延层上定义单个芯粒的大小和n电极区，蚀刻该区域的p型半导体层、发光活性层，直至暴露出n型半导体层；

5）利用激光将发光外延层按每个芯粒图形切割至衬底，芯粒的侧面露出图形化过渡层；

6）侧面蚀刻图形化过渡层，在发光外延层与所述生长衬底之间形成一空气夹层，其具有光学匹配厚度；

7）分别在p、n型半导体层上形成电极；

8）对所述生长衬底进行减薄处理，然后分割芯粒；

9）提供支撑基板，将所述芯粒与所述支撑基板连结，形成覆晶式芯粒。

7.根据权利要求6所述的一种覆晶式半导体发光器件结构的制作方法，其特征在于：所述空气夹层呈带状分布，其上分布有透镜结构。

8.根据权利要求6所述的一种覆晶式半导体发光器件结构的制作方法，其特征在于：所述过渡层为耐高温材料，其物态转变温度Tg大于800^oC。

9.根据权利要求6所述的一种覆晶式半导体发光器件结构的制作方法，其特征在于：所述过渡层的厚度为所述发光活性层发光波长1/4的奇数倍。

10.根据权利要求6所述的一种覆晶式半导体发光器件结构的制作方法，其特征在于： 所述过渡层为带状分布，其上具有从图形化生长衬底转移而来的凹状图形。