[发明专利]一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法及装置有效
| 申请号： | 201210181914.3 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102703968A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 杨晓生;陈国红;贾京英;瞿海斌;李佳;段金刚 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法及装置。为了防止籽晶完全熔化，利用所述方法，在铸造单晶硅锭过程中的籽晶熔化阶段，通过控制保护气体流量变化，利用气流所带热量而不是加热器热量实现籽晶缓慢熔化，从而精确控制籽晶熔化程度，确保底部籽晶不完全熔化，正常生产出单晶硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铸造 过程 通过 气流 控制 籽晶 熔化 程度 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法，在多晶铸锭炉内设有隔热笼（2），该隔热笼（2）内设有控温热偶（4），所述多晶铸锭炉底部设有定向凝固块底部热偶（5），其特征是，包括如下步骤：1）、在多晶铸锭炉内的坩埚底部铺设籽晶层（3），籽晶层（3）上放置多晶硅料，对炉体内抽真空至炉内压力为0.01mbar‑0.05mbar，然后加热炉体，使多晶硅料受热开始熔化，当控温热偶（4）温度为1450℃‑1550℃时，向炉体内部通入保护性气体，使炉内压力达到500mbar‑700mbar，同时提升隔热笼（2）3‑10cm，稳定时间为30min‑500min；2）、当定向凝固块底部热偶（5）温度达到1150℃‑1350℃时，保持控温热偶（4）的温度及隔热笼（2）的高度不变，向炉体内部通入保护性气体，流量为20‑35L/min，稳定时间为30min‑300min；3）、保持控温热偶（4）温度及隔热笼（2）高度不变，当定向凝固块底部热偶（5）温度达到1250℃‑1400℃时，控制炉体内部通入保护性气体的流量为15‑25L/min，稳定时间为30min‑300min；4）保持控温热偶（4）温度及隔热笼（2）高度不变，当定向凝固块底部热偶（5）温度在1250℃‑1400℃范围内，且温度变化量小于1℃/10min时，控制炉体内部通入保护性气体流量为10‑20L/min，稳定时间为30min‑300min；5）、当控温热偶（4）温度降至1410℃‑1450℃时，进入籽晶长晶阶段。
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