[发明专利]一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法及装置有效
| 申请号： | 201210181914.3 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN102703968A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 杨晓生;陈国红;贾京英;瞿海斌;李佳;段金刚 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铸造 过程 通过 气流 控制 籽晶 熔化 程度 方法 装置 | ||
1.一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法，在多晶铸锭炉内设有隔热笼（2），该隔热笼（2）内设有控温热偶（4），所述多晶铸锭炉底部设有定向凝固块底部热偶（5），其特征是，包括如下步骤：
1）、在多晶铸锭炉内的坩埚底部铺设籽晶层（3），籽晶层（3）上放置多晶硅料，对炉体内抽真空至炉内压力为0.01mbar-0.05mbar，然后加热炉体，使多晶硅料受热开始熔化，当控温热偶（4）温度为1450℃-1550℃时，向炉体内部通入保护性气体，使炉内压力达到500mbar-700mbar，同时提升隔热笼（2）3-10cm，稳定时间为30min-500min；
2）、当定向凝固块底部热偶（5）温度达到1150℃-1350℃时，保持控温热偶（4）的温度及隔热笼（2）的高度不变，向炉体内部通入保护性气体，流量为20-35L/min，稳定时间为30min-300min；
3）、保持控温热偶（4）温度及隔热笼（2）高度不变，当定向凝固块底部热偶（5）温度达到1250℃-1400℃时，控制炉体内部通入保护性气体的流量为15-25L/min，稳定时间为30min-300min；
4）保持控温热偶（4）温度及隔热笼（2）高度不变，当定向凝固块底部热偶（5）温度在1250℃-1400℃范围内，且温度变化量小于1℃/10min时，控制炉体内部通入保护性气体流量为10-20L/min，稳定时间为30min-300min；
5）、当控温热偶（4）温度降至1410℃-1450℃时，进入籽晶长晶阶段。
2.根据权利要求1所述的铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的方法，其特征是，所述向炉体内部通入保护性气体是通过设置在隔热笼（2）顶部的石墨导气管（1）通入的。
3.一种铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的装置，包括多晶铸锭炉，所述多晶铸锭炉内设有隔热笼（2），其特征是，所述隔热笼（2）上设有向炉体内通保护气体的石墨导气管（1），所述隔热笼（2）内设有控温热偶（4），所述多晶铸锭炉底部设有定向凝固块底部热偶（5）。
4.根据权利要求3所述的铸造单晶过程中通过气流控制籽晶熔化程度的装置，其特征是，所述石墨导气管（1）设在隔热笼的顶部。
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