[发明专利]坩埚装置、坩埚装置控制方法、膜厚测量装置及包含它的薄膜沉积设备无效
申请号: | 201210179992.X | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN102808167A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 鲁俊瑞 | 申请(专利权)人: | 丽佳达普株式会社 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/52;C23C16/44 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种在薄膜沉积时根据坩埚内的有机物质剩余量而适当地调整加热位置地构成的坩埚装置及其控制方法、能够更加准确地测量沉积到基板上的薄膜厚度的膜厚测量装置、及包含该坩埚装置及/或膜厚测量装置的薄膜沉积设备。 | ||
搜索关键词: | 坩埚 装置 控制 方法 测量 包含 薄膜 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种坩埚装置,包括:坩埚,内部装载有机物质;加热单元,能够沿着上下方向移动地配置在上述坩埚上并且一边移动一边供热让有机物质蒸发;驱动单元,驱使上述加热单元移动。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的